基片支承器、等离子体处理系统和等离子体蚀刻方法

被引：0

申请号：

CN202210108834.9

申请日：

2022-01-28

公开(公告)号：

CN114914144A

公开(公告)日：

2022-08-16

发明(设计)人：

早坂直人高桥智之河田祐纪

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L21687

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳;池兵

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-16	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体处理系统、等离子体处理装置以及蚀刻方法 [P].

齐藤昴 ;

中根由太 ;

高桥笃史 ;

石川慎也 ;

大内田聪 ;

户村幕树 .

日本专利 :CN117855088A ,2024-04-09

[2]

等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

森口尚树 .

中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25

[3]

等离子体处理方法和等离子体处理系统 [P].

向山广记 ;

户村幕树 ;

木原嘉英 ;

高桥笃史 ;

大类贵俊 .

日本专利 :CN116805579B ,2025-03-14

[4]

等离子体处理方法和等离子体处理系统 [P].

吉越大祐 ;

清水祐介 ;

田原慈 .

日本专利 :CN119173985A ,2024-12-20

[5]

等离子体蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

泽田石真之 ;

广瀬润 .

中国专利 :CN111868891B ,2020-10-30

[6]

等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法 [P].

永岩利文 .

日本专利 :CN111095502B ,2024-04-05

[7]

等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法 [P].

本田昌伸 ;

增泽健二 ;

中山博之 ;

岩田学 ;

佐藤学 ;

成重和树 .

中国专利 :CN101546685A ,2009-09-30

[8]

等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法 [P].

永岩利文 .

中国专利 :CN111095502A ,2020-05-01

[9]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

松本直树 ;

田中秀朗 ;

藤原尚 ;

舆水地盐 ;

小岩史明 ;

小林俊之 ;

仲山阳一 ;

中村博 .

中国专利 :CN100591190C ,2006-10-04

[10]

等离子体处理方法、等离子体处理装置以及等离子体处理系统 [P].

米泽隆宏 ;

熊仓翔 .

中国专利 :CN115513044A ,2022-12-23

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