等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580000336.0

申请日：

2015-02-25

公开(公告)号：

CN105103274A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

森口尚树

申请人：

申请人地址：

日本国神奈川县茅崎市萩园2500番地

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21683 H05H146

代理机构：

上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239

代理人：

芮玉珠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-14	授权	授权
2015-11-25	公开	公开
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638523284 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2015800003360 申请日:20150225

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻方法及等离子体处理装置 [P].

渡边光 .

中国专利 :CN104303274A ,2015-01-21

[2]

等离子体蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

泽田石真之 ;

广瀬润 .

中国专利 :CN111868891B ,2020-10-30

[3]

等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法 [P].

永岩利文 .

日本专利 :CN111095502B ,2024-04-05

[4]

等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法 [P].

本田昌伸 ;

增泽健二 ;

中山博之 ;

岩田学 ;

佐藤学 ;

成重和树 .

中国专利 :CN101546685A ,2009-09-30

[5]

等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法 [P].

永岩利文 .

中国专利 :CN111095502A ,2020-05-01

[6]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

松本直树 ;

田中秀朗 ;

藤原尚 ;

舆水地盐 ;

小岩史明 ;

小林俊之 ;

仲山阳一 ;

中村博 .

中国专利 :CN100591190C ,2006-10-04

[7]

等离子体处理装置和等离子体蚀刻装置 [P].

永海幸一 ;

永关一也 .

日本专利 :CN118156181A ,2024-06-07

[8]

等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P].

石井孝幸 .

中国专利 :CN104253036A ,2014-12-31

[9]

等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P].

广瀬久 .

中国专利 :CN100426473C ,2006-06-21

[10]

等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P].

川上雅人 ;

永关澄江 .

中国专利 :CN102187439A ,2011-09-14

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