等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510114957.X

申请日：

2005-11-16

公开(公告)号：

CN100426473C

公开(公告)日：

2006-06-21

发明(设计)人：

广瀬久

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101695920411 IPC(主分类):H01L 21/311 专利号:ZL200510114957X 申请日:20051116 授权公告日:20081015 终止日期:20151116
2008-10-15	授权	授权
2006-06-21	公开	公开
2006-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

北村彰规 ;

安田健太 ;

石田俊介 .

中国专利 :CN104067375B ,2014-09-24

[2]

等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P].

石井孝幸 .

中国专利 :CN104253036A ,2014-12-31

[3]

等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P].

川上雅人 ;

永关澄江 .

中国专利 :CN102187439A ,2011-09-14

[4]

等离子体蚀刻方法 [P].

永关一也 ;

三村高范 ;

宫岛弘树 .

中国专利 :CN1602542A ,2005-03-30

[5]

等离子体蚀刻方法及装置 [P].

濑川澄江 ;

传宝一树 ;

石原博之 ;

永关一也 .

中国专利 :CN1240113C ,2004-02-25

[6]

等离子体蚀刻方法 [P].

和田畅弘 ;

佐佐木彦一郎 .

中国专利 :CN100521111C ,2008-01-16

[7]

等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

森口尚树 .

中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25

[8]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

坂尾洋介 ;

上打田内健介 ;

清水昭贵 .

中国专利 :CN101504915A ,2009-08-12

[9]

等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法 [P].

久保田和宏 ;

斋藤祐介 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN102683247A ,2012-09-19

[10]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻系统 [P].

齐藤英树 ;

松井久 ;

宇贺神肇 .

中国专利 :CN107731681B ,2018-02-23

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