等离子体蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710128153.4

申请日：

2007-07-09

公开(公告)号：

CN100521111C

公开(公告)日：

2008-01-16

发明(设计)人：

和田畅弘佐佐木彦一郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-29	授权	授权
2008-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-01-16	公开	公开
2017-08-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101743990734 IPC(主分类):H01L 21/311 专利号:ZL2007101281534 申请日:20070709 授权公告日:20090729 终止日期:20160709

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

中川显 .

中国专利 :CN104900511B ,2015-09-09

[2]

等离子体蚀刻方法 [P].

永关一也 ;

三村高范 ;

宫岛弘树 .

中国专利 :CN1602542A ,2005-03-30

[3]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

广瀬润 ;

上田雄大 .

中国专利 :CN110010439A ,2019-07-12

[4]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

松山昇一郎 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN101609799B ,2009-12-23

[5]

等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P].

广瀬久 .

中国专利 :CN100426473C ,2006-06-21

[6]

等离子体蚀刻方法 [P].

松浦豪 .

中国专利 :CN108780748B ,2018-11-09

[7]

等离子体蚀刻方法 [P].

松山昇一郎 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN101692423B ,2010-04-07

[8]

等离子体蚀刻方法及装置 [P].

濑川澄江 ;

传宝一树 ;

石原博之 ;

永关一也 .

中国专利 :CN1240113C ,2004-02-25

[9]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

中国专利 :CN111755357A ,2020-10-09

[10]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

舆石公 ;

小林典之 ;

米田滋 ;

花轮健一 ;

田原慈 ;

杉本胜 .

中国专利 :CN101523569A ,2009-09-02

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