等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510097179.1

申请日：

2015-03-04

公开(公告)号：

CN104900511B

公开(公告)日：

2015-09-09

发明(设计)人：

中川显

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01J3732

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-10	授权	授权
2015-10-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628128897 IPC(主分类):H01L 21/308 专利申请号:2015100971791 申请日:20150304
2015-09-09	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

中国专利 :CN111755357A ,2020-10-09

[2]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

大矢欣伸 ;

冈本晋 ;

持木宏政 .

中国专利 :CN101800161A ,2010-08-11

[3]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

日本专利 :CN111755357B ,2025-08-22

[4]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

舆石公 ;

小林典之 ;

米田滋 ;

花轮健一 ;

田原慈 ;

杉本胜 .

中国专利 :CN101523569A ,2009-09-02

[5]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

广瀬润 ;

上田雄大 .

中国专利 :CN110010439A ,2019-07-12

[6]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

松山昇一郎 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN101609799B ,2009-12-23

[7]

等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和存储介质 [P].

菊池秋广 ;

出原乾司 .

中国专利 :CN101355017B ,2009-01-28

[8]

等离子体蚀刻方法 [P].

和田畅弘 ;

佐佐木彦一郎 .

中国专利 :CN100521111C ,2008-01-16

[9]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

穆罕默德·菲依鲁斯·宾布迪曼 ;

辻本宏 .

中国专利 :CN111801776A ,2020-10-20

[10]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

前川薫 ;

佐藤渚 ;

大野久美子 ;

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

中国专利 :CN111527591A ,2020-08-11

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