等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910008929.8

申请日：

2009-02-12

公开(公告)号：

CN101609799B

公开(公告)日：

2009-12-23

发明(设计)人：

松山昇一郎本田昌伸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H05H146

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-23	公开	公开
2011-08-24	授权	授权
2019-02-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20090212 授权公告日:20110824 终止日期:20180212
2010-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

李诚泰 ;

小笠原正宏 ;

佐佐木淳一 ;

柳田直人 .

中国专利 :CN102194686A ,2011-09-21

[2]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

中国专利 :CN111755357A ,2020-10-09

[3]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

舆石公 ;

小林典之 ;

米田滋 ;

花轮健一 ;

田原慈 ;

杉本胜 .

中国专利 :CN101523569A ,2009-09-02

[4]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

宇田秀一郎 ;

平山祐介 .

中国专利 :CN101521158B ,2009-09-02

[5]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

广瀬润 ;

上田雄大 .

中国专利 :CN110010439A ,2019-07-12

[6]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

中川显 .

中国专利 :CN104900511B ,2015-09-09

[7]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

日本专利 :CN111755357B ,2025-08-22

[8]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

北村彰规 ;

安田健太 ;

石田俊介 .

中国专利 :CN104067375B ,2014-09-24

[9]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

松本直树 ;

田中秀朗 ;

藤原尚 ;

舆水地盐 ;

小岩史明 ;

小林俊之 ;

仲山阳一 ;

中村博 .

中国专利 :CN100591190C ,2006-10-04

[10]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

久松亨 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN105097489A ,2015-11-25

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