等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510250282.5

申请日：

2015-05-15

公开(公告)号：

CN105097489A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

久松亨本田昌伸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21033

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638516218 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2015102502825 申请日:20150515
2015-11-25	公开	公开
2018-02-13	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

宇田秀一郎 ;

平山祐介 .

中国专利 :CN101521158B ,2009-09-02

[2]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

松山昇一郎 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN101609799B ,2009-12-23

[3]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

前川薫 ;

佐藤渚 ;

大野久美子 ;

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

中国专利 :CN111527591A ,2020-08-11

[4]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

中国专利 :CN111755357A ,2020-10-09

[5]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

广瀬润 ;

上田雄大 .

中国专利 :CN110010439A ,2019-07-12

[6]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

吉田亮一 ;

石井孝幸 ;

小林宪 .

中国专利 :CN104471686A ,2015-03-25

[7]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

李诚泰 ;

小笠原正宏 ;

佐佐木淳一 ;

柳田直人 .

中国专利 :CN102194686A ,2011-09-21

[8]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

中川显 .

中国专利 :CN104900511B ,2015-09-09

[9]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

前川薫 ;

佐藤渚 ;

大野久美子 ;

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

日本专利 :CN111527591B ,2024-08-13

[10]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

日本专利 :CN111755357B ,2025-08-22

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