等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380036784.7

申请日：

2013-08-05

公开(公告)号：

CN104471686A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

吉田亮一石井孝幸小林宪

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	授权	授权
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607371694 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2013800367847 申请日:20130805
2015-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

宇田秀一郎 ;

平山祐介 .

中国专利 :CN101521158B ,2009-09-02

[2]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

松山昇一郎 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN101609799B ,2009-12-23

[3]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

李诚泰 ;

小笠原正宏 ;

佐佐木淳一 ;

柳田直人 .

中国专利 :CN102194686A ,2011-09-21

[4]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

松本直树 ;

田中秀朗 ;

藤原尚 ;

舆水地盐 ;

小岩史明 ;

小林俊之 ;

仲山阳一 ;

中村博 .

中国专利 :CN100591190C ,2006-10-04

[5]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

久松亨 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN105097489A ,2015-11-25

[6]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

穆罕默德·菲依鲁斯·宾布迪曼 ;

辻本宏 .

中国专利 :CN111801776A ,2020-10-20

[7]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

前川薫 ;

佐藤渚 ;

大野久美子 ;

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

中国专利 :CN111527591A ,2020-08-11

[8]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

北垣内圭二 ;

小林史弥 ;

户村幕树 .

中国专利 :CN110729187A ,2020-01-24

[9]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

后平拓 ;

箕浦佑也 .

中国专利 :CN110164764A ,2019-08-23

[10]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

中国专利 :CN111755357A ,2020-10-09

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