等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610066499.1

申请日：

2006-03-31

公开(公告)号：

CN100591190C

公开(公告)日：

2006-10-04

发明(设计)人：

松本直树田中秀朗藤原尚舆水地盐小岩史明小林俊之仲山阳一中村博

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H05H146

IPC分类号：

H01J3732 H01L213065

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-17	授权	授权
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-10-04	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

舆石公 ;

小林典之 ;

米田滋 ;

花轮健一 ;

田原慈 ;

杉本胜 .

中国专利 :CN101523569A ,2009-09-02

[2]

等离子体处理装置和等离子体蚀刻装置 [P].

永海幸一 ;

永关一也 .

日本专利 :CN118156181A ,2024-06-07

[3]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

中国专利 :CN111755357A ,2020-10-09

[4]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

大矢欣伸 ;

冈本晋 ;

持木宏政 .

中国专利 :CN101800161A ,2010-08-11

[5]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

广瀬润 ;

上田雄大 .

中国专利 :CN110010439A ,2019-07-12

[6]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

松山昇一郎 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN101609799B ,2009-12-23

[7]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

日本专利 :CN111755357B ,2025-08-22

[8]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

北村彰规 ;

安田健太 ;

石田俊介 .

中国专利 :CN104067375B ,2014-09-24

[9]

等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法 [P].

本田昌伸 ;

增泽健二 ;

中山博之 ;

岩田学 ;

佐藤学 ;

成重和树 .

中国专利 :CN101546685A ,2009-09-30

[10]

等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

森口尚树 .

中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25

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