等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980013718.5

申请日：

2019-06-24

公开(公告)号：

CN111801776A

公开(公告)日：

2020-10-20

发明(设计)人：

穆罕默德·菲依鲁斯·宾布迪曼辻本宏

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H05H146

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20190624
2020-10-20	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

中国专利 :CN111755357A ,2020-10-09

[2]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

舆石公 ;

小林典之 ;

米田滋 ;

花轮健一 ;

田原慈 ;

杉本胜 .

中国专利 :CN101523569A ,2009-09-02

[3]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

大矢欣伸 ;

冈本晋 ;

持木宏政 .

中国专利 :CN101800161A ,2010-08-11

[4]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

广瀬润 ;

上田雄大 .

中国专利 :CN110010439A ,2019-07-12

[5]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

中川显 .

中国专利 :CN104900511B ,2015-09-09

[6]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

坂尾洋介 ;

上打田内健介 ;

清水昭贵 .

中国专利 :CN101504915A ,2009-08-12

[7]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

日本专利 :CN111755357B ,2025-08-22

[8]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

前川薫 ;

佐藤渚 ;

大野久美子 ;

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

中国专利 :CN111527591A ,2020-08-11

[9]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

北垣内圭二 ;

小林史弥 ;

户村幕树 .

中国专利 :CN110729187A ,2020-01-24

[10]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

后平拓 ;

箕浦佑也 .

中国专利 :CN110164764A ,2019-08-23

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