背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111408999.X
申请日
2021-11-25
公开(公告)号
CN114121774A
公开(公告)日
2022-03-01
发明(设计)人
程器 彭翔
申请人
申请人地址
201315 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
H01L27146
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭立
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法 [P]. 
程器 ;
彭翔 .
中国专利 :CN114121774B ,2025-03-14
[2]
背照式图像传感器及制备方法、深沟槽隔离结构制备方法 [P]. 
汪丹丹 .
中国专利 :CN117238840B ,2024-02-27
[3]
采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法 [P]. 
赵立新 ;
王永刚 ;
李杰 .
中国专利 :CN105826331B ,2016-08-03
[4]
具有深沟槽隔离结构的背照式图像传感器的形成方法 [P]. 
赵立新 ;
王永刚 ;
李杰 .
中国专利 :CN104979370A ,2015-10-14
[5]
采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法 [P]. 
杨瑞坤 .
中国专利 :CN105810696A ,2016-07-27
[6]
背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器 [P]. 
陈维邦 .
中国专利 :CN121152343A ,2025-12-16
[7]
背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器 [P]. 
陈维邦 .
中国专利 :CN121152344A ,2025-12-16
[8]
采用深沟槽隔离的图像传感器 [P]. 
赵立新 ;
杨瑞坤 .
中国专利 :CN204558466U ,2015-08-12
[9]
采用深沟槽隔离的图像传感器 [P]. 
霍华德·E·罗德斯 .
中国专利 :CN1832187A ,2006-09-13
[10]
采用深沟槽隔离的图像传感器 [P]. 
赵立新 ;
杨瑞坤 .
中国专利 :CN204632760U ,2015-09-09