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背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111408999.X
申请日
:
2021-11-25
公开(公告)号
:
CN114121774A
公开(公告)日
:
2022-03-01
发明(设计)人
:
程器
彭翔
申请人
:
申请人地址
:
201315 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L21762
IPC分类号
:
H01L27146
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭立
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-18
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20211125
2022-03-01
公开
公开
共 50 条
[1]
背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法
[P].
程器
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
程器
;
彭翔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
彭翔
.
中国专利
:CN114121774B
,2025-03-14
[2]
背照式图像传感器及制备方法、深沟槽隔离结构制备方法
[P].
汪丹丹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
汪丹丹
.
中国专利
:CN117238840B
,2024-02-27
[3]
采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法
[P].
赵立新
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵立新
;
王永刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王永刚
;
李杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李杰
.
中国专利
:CN105826331B
,2016-08-03
[4]
具有深沟槽隔离结构的背照式图像传感器的形成方法
[P].
赵立新
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵立新
;
王永刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王永刚
;
李杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李杰
.
中国专利
:CN104979370A
,2015-10-14
[5]
采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法
[P].
杨瑞坤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨瑞坤
.
中国专利
:CN105810696A
,2016-07-27
[6]
背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
[P].
陈维邦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
陈维邦
.
中国专利
:CN121152343A
,2025-12-16
[7]
背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
[P].
陈维邦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
陈维邦
.
中国专利
:CN121152344A
,2025-12-16
[8]
采用深沟槽隔离的图像传感器
[P].
赵立新
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵立新
;
杨瑞坤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨瑞坤
.
中国专利
:CN204558466U
,2015-08-12
[9]
采用深沟槽隔离的图像传感器
[P].
霍华德·E·罗德斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
霍华德·E·罗德斯
.
中国专利
:CN1832187A
,2006-09-13
[10]
采用深沟槽隔离的图像传感器
[P].
赵立新
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵立新
;
杨瑞坤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨瑞坤
.
中国专利
:CN204632760U
,2015-09-09
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