具有深沟槽隔离结构的背照式图像传感器的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510425907.7

申请日：

2015-07-20

公开(公告)号：

CN104979370A

公开(公告)日：

2015-10-14

发明(设计)人：

赵立新王永刚李杰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-14	授权	授权
2016-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687394108 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2015104259077 申请日:20150720
2015-10-14	公开	公开

共 50 条

[1]

背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法 [P].

程器 ;

彭翔 .

中国专利 :CN114121774A ,2022-03-01

[2]

背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法 [P].

程器 ;

彭翔 .

中国专利 :CN114121774B ,2025-03-14

[3]

采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法 [P].

赵立新 ;

王永刚 ;

李杰 .

中国专利 :CN105826331B ,2016-08-03

[4]

背照式图像传感器的形成方法 [P].

张超 ;

许乐 .

中国专利 :CN117832232A ,2024-04-05

[5]

图像传感器的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构 [P].

李佳龙 ;

黄鹏 ;

范晓 ;

钱文生 ;

房子荃 .

中国专利 :CN112736103B ,2021-04-30

[6]

深沟槽的形成方法以及背照式图像传感器制造方法 [P].

陶磊 ;

郑悦 .

中国专利 :CN117238842B ,2024-03-08

[7]

背照式图像传感器及制备方法、深沟槽隔离结构制备方法 [P].

汪丹丹 .

中国专利 :CN117238840B ,2024-02-27

[8]

沟槽隔离结构及图像传感器的形成方法 [P].

韦伟 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110379763A ,2019-10-25

[9]

背照式图像传感器的形成方法 [P].

曾甜 ;

邹文 ;

郭存亚 .

中国专利 :CN120751794A ,2025-10-03

[10]

背照式图像传感器的形成方法 [P].

黄心怡 ;

王连红 .

中国专利 :CN109192741B ,2019-01-11

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