薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410038129.8

申请日：

2004-05-08

公开(公告)号：

CN1551367A

公开(公告)日：

2004-12-01

发明(设计)人：

李垌默南承熙吴载映

申请人：

申请人地址：

韩国汉城

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2712 H01L2184 H01L21336 H01L2100 G02F1136

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-12-01	公开	公开
2020-04-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20040508 授权公告日:20080430 终止日期:20190508
2008-04-30	授权	授权
2008-07-09	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:LG.飞利浦LCD有限公司变更后:乐金显示有限公司变更事项:地址变更前:韩国首尔变更后:韩国首尔

共 50 条

[1]

薄膜晶体管阵列基板系统及其制造方法 [P].

朴容仁 ;

吴载映 ;

金秀浦 .

中国专利 :CN1992293B ,2007-07-04

[2]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

崔荣锡 ;

庾弘宇 ;

曹基述 ;

李在晤 ;

丁辅径 .

中国专利 :CN1797773A ,2006-07-05

[3]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

秦洪基 ;

金湘甲 ;

吴旼锡 ;

金周汉 .

中国专利 :CN101097928A ,2008-01-02

[4]

薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

徐铉植 ;

金峰澈 ;

金大元 .

中国专利 :CN103258743A ,2013-08-21

[5]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

柳洵城 ;

张允琼 ;

赵兴烈 .

中国专利 :CN1244953C ,2004-07-21

[6]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

柳洵城 ;

赵兴烈 .

中国专利 :CN1606162A ,2005-04-13

[7]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

林周洙 ;

洪玄硕 ;

李昌斌 .

中国专利 :CN100580937C ,2008-07-02

[8]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

崔荣锡 ;

庾弘宇 ;

曹基述 ;

李在晤 ;

丁辅径 .

中国专利 :CN100417998C ,2006-07-05

[9]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

崔荣锡 ;

安炳龙 ;

庾弘宇 ;

曹基述 .

中国专利 :CN1713057A ,2005-12-28

[10]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

崔荣锡 ;

庾弘宇 ;

曹基述 ;

李在晤 ;

丁辅径 .

中国专利 :CN100421017C ,2006-07-05

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