薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710126331.X

申请日：

2007-06-29

公开(公告)号：

CN101097928A

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

秦洪基金湘甲吴旼锡金周汉

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L23522 H01L2184 H01L21768 G02F11362

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张波;陶凤波

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101476146293 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL200710126331X 变更事项:专利权人变更前权利人:三星电子株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121031
2012-10-10	授权	授权
2008-01-02	公开	公开
2009-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

徐铉植 ;

金峰澈 ;

金大元 .

中国专利 :CN103258743A ,2013-08-21

[2]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

林周洙 ;

洪玄硕 ;

李昌斌 .

中国专利 :CN100580937C ,2008-07-02

[3]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

崔荣锡 ;

庾弘宇 ;

曹基述 ;

李在晤 ;

丁辅径 .

中国专利 :CN100417998C ,2006-07-05

[4]

制造薄膜晶体管阵列基板的方法 [P].

南承熙 ;

文泰亨 .

中国专利 :CN102044490A ,2011-05-04

[5]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

崔荣锡 ;

庾弘宇 ;

曹基述 ;

李在晤 ;

丁辅径 .

中国专利 :CN1797773A ,2006-07-05

[6]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

柳慧英 ;

李禹根 ;

崔永柱 ;

郑卿在 ;

李进元 ;

崔升夏 ;

卞喜准 ;

尹弼相 .

中国专利 :CN102376721B ,2012-03-14

[7]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

王净亦 .

中国专利 :CN100429765C ,2007-05-16

[8]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

李垌默 ;

南承熙 ;

吴载映 .

中国专利 :CN1551367A ,2004-12-01

[9]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

崔荣锡 ;

安炳龙 ;

庾弘宇 ;

曹基述 .

中国专利 :CN1713057A ,2005-12-28

[10]

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

颜硕廷 .

中国专利 :CN100426115C ,2007-03-14

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