一种PGaN基LED外延片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420828798.4

申请日：

2014-12-24

公开(公告)号：

CN204257686U

公开(公告)日：

2015-04-08

发明(设计)人：

邓顺达林溪汉林政德

申请人：

申请人地址：

272000 山东省济宁市高新区崇文大道6688号（冠铨光电）

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

代理机构：

济宁众城专利事务所 37106

代理人：

李效宁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-08	授权	授权
2020-12-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20141224 授权公告日:20150408 终止日期:20191224

共 50 条

[1]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

高凡 ;

杨天鹏 ;

郭文平 ;

陈向东 ;

柴旗 ;

肖志国 .

中国专利 :CN101847673A ,2010-09-29

[2]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

肖云飞 ;

舒辉 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106410005B ,2017-02-15

[3]

一种LED外延片及其制备方法 [P].

李明通 ;

胡清富 ;

卢雨金 ;

武杰 .

中国专利 :CN120711899A ,2025-09-26

[4]

一种GaN基LED外延片 [P].

陈飞 .

中国专利 :CN203434181U ,2014-02-12

[5]

GaN基LED外延片 [P].

肖怀曙 ;

谢春林 .

中国专利 :CN203491288U ,2014-03-19

[6]

一种AlGaN基深紫外LED外延片 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN213816179U ,2021-07-27

[7]

一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片 [P].

胡加辉 ;

刘春杨 ;

吕蒙普 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114373841A ,2022-04-19

[8]

一种LED外延片 [P].

滕龙 ;

霍丽艳 ;

吴洪浩 ;

刘兆 .

中国专利 :CN211879400U ,2020-11-06

[9]

一种GaN 基LED的PGaN外延结构 [P].

王爱民 ;

潘鹏 ;

袁凤坡 ;

王波 ;

周晓龙 .

中国专利 :CN203850328U ,2014-09-24

[10]

GaN基LED外延片及其生长工艺、LED [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116504894B ,2024-05-14

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