用于嵌入式存储器的单元边界结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711175978.1

申请日：

2017-11-22

公开(公告)号：

CN108122922B

公开(公告)日：

2018-06-05

发明(设计)人：

刘铭棋刘世昌陈胜捷张宇行

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2711548

IPC分类号：

H01L2711531 H01L2711575 H01L2711573

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-02	授权	授权
2018-06-05	公开	公开
2018-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11548 申请日:20171122

共 50 条

[1]

嵌入式存储器的单元边界结构、集成电路及其形成方法 [P].

林孟汉 ;

谢智仁 ;

吴伟成 ;

黄志斌 .

中国专利 :CN110838494B ,2020-02-25

[2]

嵌入式存储器及其形成方法 [P].

吴伟成 ;

庄学理 .

中国专利 :CN104241291A ,2014-12-24

[3]

嵌入式动态随机存储器单元及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104752432B ,2015-07-01

[4]

嵌入式存储器单元及其制造方法 [P].

J·T·卡瓦利罗斯 ;

N·穆克赫吉 ;

G·德威 ;

D·索马瑟科哈 ;

B·S·多伊尔 .

中国专利 :CN102272928A ,2011-12-07

[5]

用于嵌入式存储器的防凹陷结构 [P].

林孟汉 ;

谢智仁 ;

刘振钦 ;

黄志斌 .

中国专利 :CN110970440B ,2020-04-07

[6]

嵌入式存储器及其制造方法 [P].

顾文炳 .

中国专利 :CN120076336A ,2025-05-30

[7]

嵌入式存储器及其制造方法 [P].

顾文炳 .

中国专利 :CN120076337A ,2025-05-30

[8]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114B ,2024-11-12

[9]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114A ,2021-10-22

[10]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380821B ,2024-12-24

← 1 2 3 4 5 →