存储器单元、存储器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110241841.1

申请日：

2021-03-04

公开(公告)号：

CN113540114B

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

蒋国璋孙宏彰赖昇志杨子庆江昱维

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10B51/00

IPC分类号：

H10B51/30

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-12	授权	授权

共 50 条

[1]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114A ,2021-10-22

[2]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540116A ,2021-10-22

[3]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540116B ,2024-08-02

[4]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380821B ,2024-12-24

[5]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380821A ,2021-09-10

[6]

存储器单元、半导体器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380820A ,2021-09-10

[7]

存储器单元、半导体器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380820B ,2024-12-24

[8]

存储器结构、存储器件及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113488477A ,2021-10-08

[9]

存储器器件及其形成方法 [P].

石昇弘 ;

涂国基 ;

陈宛桢 ;

陈姿妤 ;

朱文定 .

中国专利 :CN119403131A ,2025-02-07

[10]

存储器件及其形成方法 [P].

王圣祯 ;

李凯璇 ;

杨世海 ;

游佳达 ;

贾汉中 .

中国专利 :CN113517302B ,2024-12-27

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