存储器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110708543.9

申请日：

2021-06-25

公开(公告)号：

CN113517302B

公开(公告)日：

2024-12-27

发明(设计)人：

王圣祯李凯璇杨世海游佳达贾汉中

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10B51/10

IPC分类号：

H10B51/20 H10B51/30

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-27	授权	授权

共 50 条

[1]

存储器件及其形成方法 [P].

王圣祯 ;

李凯璇 ;

杨世海 ;

游佳达 ;

贾汉中 .

中国专利 :CN113517302A ,2021-10-19

[2]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114B ,2024-11-12

[3]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114A ,2021-10-22

[4]

存储器件及其形成方法 [P].

黄娟娟 ;

王凌翔 .

中国专利 :CN114005791B ,2024-05-17

[5]

存储器件及其形成方法 [P].

方语萱 ;

黎姗 ;

赵冬雪 ;

刘磊 ;

夏志良 .

中国专利 :CN118251016A ,2024-06-25

[6]

存储器件及其形成方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN116133375B ,2025-11-21

[7]

存储器件及其形成方法 [P].

于业笑 .

中国专利 :CN113707612A ,2021-11-26

[8]

存储器件及其形成方法 [P].

黄娟娟 ;

王凌翔 .

中国专利 :CN114005791A ,2022-02-01

[9]

存储器件及其形成方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN116133395B ,2025-10-21

[10]

非易失性存储器件及其形成方法 [P].

李丞哲 ;

崔炳镕 ;

李忠浩 ;

李根浩 .

中国专利 :CN101261995A ,2008-09-10

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