存储器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211659427.3

申请日：

2022-12-22

公开(公告)号：

CN118251016A

公开(公告)日：

2024-06-25

发明(设计)人：

方语萱黎姗赵冬雪刘磊夏志良

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H10B61/00

IPC分类号：

H10N50/10 H10N50/80 H10N50/01 G11C11/16

代理机构：

北京永新同创知识产权代理有限公司 11376

代理人：

刘景峰;于景辉

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-25	公开	公开
2024-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 61/00申请日:20221222

共 50 条

[1]

存储器件及其形成方法 [P].

于业笑 .

中国专利 :CN113707612A ,2021-11-26

[2]

存储器件及其形成方法 [P].

王圣祯 ;

李凯璇 ;

杨世海 ;

游佳达 ;

贾汉中 .

中国专利 :CN113517302B ,2024-12-27

[3]

存储器件及其形成方法 [P].

王圣祯 ;

李凯璇 ;

杨世海 ;

游佳达 ;

贾汉中 .

中国专利 :CN113517302A ,2021-10-19

[4]

存储器件及其形成方法 [P].

王迪 ;

杨远程 ;

刘磊 ;

杨涛 ;

张坤 ;

赵冬雪 ;

周文犀 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN118234220A ,2024-06-21

[5]

半导体存储器件及其形成方法 [P].

李钟昱 ;

孙龙勋 ;

崔时荣 .

中国专利 :CN101330085A ,2008-12-24

[6]

存储器件、系统及其形成方法 [P].

刘波 ;

刘磊 ;

杨远程 ;

周文犀 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN120980885A ,2025-11-18

[7]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114B ,2024-11-12

[8]

存储器结构、存储器件及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113488477A ,2021-10-08

[9]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114A ,2021-10-22

[10]

三维存储器件及其形成方法 [P].

张明康 .

中国专利 :CN113892175B ,2025-10-24

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