存储器单元、存储器器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110513298.6

申请日：

2021-05-11

公开(公告)号：

CN113540116A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

蒋国璋孙宏彰赖昇志杨子庆江昱维

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2711587

IPC分类号：

H01L271159 H01L2711597

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11587 申请日:20210511
2021-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540116B ,2024-08-02

[2]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114B ,2024-11-12

[3]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114A ,2021-10-22

[4]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380821B ,2024-12-24

[5]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380821A ,2021-09-10

[6]

存储器单元、半导体器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380820A ,2021-09-10

[7]

存储器单元、半导体器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380820B ,2024-12-24

[8]

存储器结构、存储器件及其形成方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113488477A ,2021-10-08

[9]

存储器阵列、存储器器件及其形成方法 [P].

林孟汉 ;

贾汉中 ;

王圣祯 ;

杨丰诚 ;

林佑明 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113675215B ,2024-09-17

[10]

存储器阵列、存储器器件及其形成方法 [P].

林孟汉 ;

贾汉中 ;

王圣祯 ;

杨丰诚 ;

林佑明 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113675215A ,2021-11-19

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