三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610112700.5

申请日：

2006-08-30

公开(公告)号：

CN101135748A

公开(公告)日：

2008-03-05

发明(设计)人：

陈弘达黄北举刘金彬顾明刘海军

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

G02B612

IPC分类号：

G02F1025

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-05	公开	公开
2013-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101532928621 IPC(主分类):G02B 6/12 专利号:ZL2006101127005 申请日:20060830 授权公告日:20090311 终止日期:20120830
2009-03-11	授权	授权
2008-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器 [P].

陈弘达 ;

黄北举 ;

刘海军 ;

顾明 .

中国专利 :CN100514099C ,2008-03-05

[2]

高速硅基电光调制器 [P].

罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 ;

马格利特·吉龙 ;

普拉卡什·约托斯卡 ;

威普库马·帕特尔 ;

卡尔潘都·夏斯特里 ;

索哈姆·帕塔克 ;

凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇 .

中国专利 :CN1764863A ,2006-04-26

[3]

一种硅基并联MOS电容结构高速电光调制器及制作方法 [P].

屠晓光 ;

陈少武 .

中国专利 :CN100437322C ,2007-02-07

[4]

硅基注氧电容型电光调制器 [P].

王敏娟 ;

周林杰 ;

陆梁军 ;

陈建平 .

中国专利 :CN106291990A ,2017-01-04

[5]

硅基电光调制器的补偿掺杂方法及其硅基电光调制器 [P].

史弘康 ;

方舟 ;

李磊 ;

张晓波 ;

陈泽 .

中国专利 :CN115685444B ,2024-06-11

[6]

硅基电光调制器的补偿掺杂方法及其硅基电光调制器 [P].

史弘康 ;

方舟 ;

李磊 ;

张晓波 ;

陈泽 .

中国专利 :CN115685444A ,2023-02-03

[7]

高速电光调制器 [P].

陈秋水 ;

加里·Y·王 ;

保罗·梅尔曼 ;

凯文·邹 ;

蒋华 ;

张润 ;

赵京 ;

迪恩·塔尼安 ;

王飞凌 .

中国专利 :CN1299472A ,2001-06-13

[8]

高速电光调制器 [P].

周国瑞 ;

刘青安 ;

蒋一岚 ;

马自强 ;

牛龙飞 ;

苗心向 ;

吕海兵 ;

刘昊 ;

李可欣 ;

周海 ;

袁晓东 .

中国专利 :CN207067573U ,2018-03-02

[9]

一种硅基吸收型电光调制器及提高调制效率的方法 [P].

李冰 ;

李营营 .

中国专利 :CN110109266A ,2019-08-09

[10]

一种高调制效率的复合包层电光调制器 [P].

陈诺 ;

刘晓妍 ;

储涛 .

中国专利 :CN115268122B ,2025-08-12

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