双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610112702.4

申请日：

2006-08-30

公开(公告)号：

CN100514099C

公开(公告)日：

2008-03-05

发明(设计)人：

陈弘达黄北举刘海军顾明

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

G02B612

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101532928919 IPC(主分类):G02F 1/025 专利号:ZL2006101127024 申请日:20060830 授权公告日:20090715 终止日期:20120830
2008-03-05	公开	公开
2009-07-15	授权	授权

共 50 条

[1]

三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器 [P].

陈弘达 ;

黄北举 ;

刘金彬 ;

顾明 ;

刘海军 .

中国专利 :CN101135748A ,2008-03-05

[2]

高速硅基电光调制器 [P].

罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 ;

马格利特·吉龙 ;

普拉卡什·约托斯卡 ;

威普库马·帕特尔 ;

卡尔潘都·夏斯特里 ;

索哈姆·帕塔克 ;

凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇 .

中国专利 :CN1764863A ,2006-04-26

[3]

硅基注氧电容型电光调制器 [P].

王敏娟 ;

周林杰 ;

陆梁军 ;

陈建平 .

中国专利 :CN106291990A ,2017-01-04

[4]

硅基电光调制器的补偿掺杂方法及其硅基电光调制器 [P].

史弘康 ;

方舟 ;

李磊 ;

张晓波 ;

陈泽 .

中国专利 :CN115685444B ,2024-06-11

[5]

硅基电光调制器的补偿掺杂方法及其硅基电光调制器 [P].

史弘康 ;

方舟 ;

李磊 ;

张晓波 ;

陈泽 .

中国专利 :CN115685444A ,2023-02-03

[6]

一种硅基吸收型电光调制器及提高调制效率的方法 [P].

李冰 ;

李营营 .

中国专利 :CN110109266A ,2019-08-09

[7]

一种硅基并联MOS电容结构高速电光调制器及制作方法 [P].

屠晓光 ;

陈少武 .

中国专利 :CN100437322C ,2007-02-07

[8]

硅基电光调制器及其制备方法 [P].

文花顺 ;

许博蕊 ;

孙甲政 ;

翟鲲鹏 ;

陈伟 ;

祝宁华 ;

李明 .

中国专利 :CN113687530A ,2021-11-23

[9]

一种高调制效率的复合包层电光调制器 [P].

陈诺 ;

刘晓妍 ;

储涛 .

中国专利 :CN115268122B ,2025-08-12

[10]

硅基电光调制器掺杂结构 [P].

唐伟杰 ;

曹伟杰 ;

储涛 .

中国专利 :CN113900279B ,2024-09-03

← 1 2 3 4 5 →