半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280015801.4

申请日：

2012-03-19

公开(公告)号：

CN103443314A

公开(公告)日：

2013-12-11

发明(设计)人：

森冈勉青山齐

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C22C2704

IPC分类号：

C22C104 C22C900 H01L23373

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

刘凤岭;陈建全

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-11	公开	公开
2018-03-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C22C 27/04 申请公布日:20131211
2014-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101560726097 IPC(主分类):C22C 27/04 专利申请号:2012800158014 申请日:20120319

共 50 条

[1]

半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置 [P].

森冈勉 ;

青山齐 .

中国专利 :CN107658280A ,2018-02-02

[2]

散热部件、该散热部件的制造方法以及半导体装置 [P].

青岛正贵 ;

岩重朝仁 .

日本专利 :CN119028928A ,2024-11-26

[3]

半导体模块用散热板的制造方法、该散热板以及使用该散热板的半导体模块 [P].

上里良宪 ;

早乙女全纪 ;

丸山力宏 ;

后藤友彰 .

中国专利 :CN103339723A ,2013-10-02

[4]

金属基板、散热部件以及具有该散热部件的半导体装置 [P].

王冬雷 .

中国专利 :CN201549488U ,2010-08-11

[5]

半导体装置、半导体部件以及半导体装置的制造方法 [P].

指田和之 ;

山地瑞枝 ;

吉田贤一 ;

铃木健一 ;

九里伸治 .

中国专利 :CN111448463B ,2020-07-24

[6]

半导体烧结体、电气电子部件、以及半导体烧结体的制造方法 [P].

贞赖直树 .

日本专利 :CN110622327B ,2024-03-12

[7]

半导体烧结体、电气电子部件、以及半导体烧结体的制造方法 [P].

贞赖直树 .

中国专利 :CN110622327A ,2019-12-27

[8]

半导体部件以及半导体部件的制造方法 [P].

A·梅瑟 ;

W·哈特纳 ;

H·格鲁伯 ;

D·博纳特 ;

T·格罗斯 .

中国专利 :CN101097919B ,2008-01-02

[9]

散热部件以及半导体模块 [P].

西川和宏 ;

堀裕多 .

日本专利 :CN118676084A ,2024-09-20

[10]

半导体模块以及使用该半导体模块的半导体装置 [P].

宫坂利幸 .

中国专利 :CN110504224A ,2019-11-26

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