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硅氧化物被覆Fe系软磁性粉末及其制造方法
被引:0
申请号
:
CN202080060280.9
申请日
:
2020-08-26
公开(公告)号
:
CN114365242A
公开(公告)日
:
2022-04-15
发明(设计)人
:
西泽赖人
田上幸治
申请人
:
申请人地址
:
日本东京
IPC主分类号
:
H01F124
IPC分类号
:
H01F133
H01F4102
代理机构
:
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人
:
张智慧
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-04-15
公开
公开
2022-06-14
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01F 1/24 申请日:20200826
共 50 条
[1]
硅氧化物被覆软磁性粉末及其制造方法
[P].
田上幸治
论文数:
0
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0
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田上幸治
;
矢野拓哉
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矢野拓哉
;
西泽赖人
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西泽赖人
.
中国专利
:CN111683768A
,2020-09-18
[2]
硅氧化物被覆软磁性粉末及制造方法
[P].
藤田英史
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藤田英史
;
田上幸治
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田上幸治
;
山田圭介
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0
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山田圭介
;
川人哲也
论文数:
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川人哲也
.
中国专利
:CN114728334A
,2022-07-08
[3]
硅氧化物被覆软磁性粉末及制造方法
[P].
藤田英史
论文数:
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0
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机构:
同和电子科技有限公司
同和电子科技有限公司
藤田英史
;
田上幸治
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机构:
同和电子科技有限公司
同和电子科技有限公司
田上幸治
;
山田圭介
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机构:
同和电子科技有限公司
同和电子科技有限公司
山田圭介
;
川人哲也
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机构:
同和电子科技有限公司
同和电子科技有限公司
川人哲也
.
日本专利
:CN114728334B
,2024-06-11
[4]
铁系氧化物磁性粉及其制造方法
[P].
大越慎一
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大越慎一
;
生井飞鸟
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生井飞鸟
;
所裕子
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所裕子
;
吉清麻里绘
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吉清麻里绘
;
山我和裕
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山我和裕
;
宫本靖人
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宫本靖人
;
峰山裕贵
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峰山裕贵
;
坂根坚之
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坂根坚之
;
川人哲也
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川人哲也
.
中国专利
:CN114466823A
,2022-05-10
[5]
铁系氧化物磁性粉及其制造方法
[P].
大越慎一
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大越慎一
;
生井飞鸟
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生井飞鸟
;
坂根坚之
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坂根坚之
;
川人哲也
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川人哲也
.
中国专利
:CN111819642A
,2020-10-23
[6]
铁系氧化物磁性粉及其制造方法
[P].
大越慎一
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
大越慎一
;
生井飞鸟
论文数:
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
生井飞鸟
;
坂根坚之
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
坂根坚之
;
川人哲也
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
川人哲也
.
日本专利
:CN111819642B
,2024-06-11
[7]
铁系氧化物磁性粉及其制造方法
[P].
宫本靖人
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宫本靖人
;
山我和裕
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山我和裕
;
峰山裕贵
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0
峰山裕贵
.
中国专利
:CN114503198A
,2022-05-13
[8]
铁系氧化物磁性粉及其制造方法
[P].
大越慎一
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
大越慎一
;
生井飞鸟
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
生井飞鸟
;
所裕子
论文数:
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
所裕子
;
吉清麻里绘
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
吉清麻里绘
;
山我和裕
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
山我和裕
;
宫本靖人
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
宫本靖人
;
峰山裕贵
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
峰山裕贵
;
坂根坚之
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
坂根坚之
;
川人哲也
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机构:
国立大学法人东京大学
国立大学法人东京大学
川人哲也
.
日本专利
:CN114466823B
,2024-09-10
[9]
含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法和含硅氧化物被覆氮化铝粒子
[P].
大冢雄树
论文数:
0
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大冢雄树
;
冈本英俊
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冈本英俊
;
御法川直树
论文数:
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御法川直树
.
中国专利
:CN112585087B
,2021-03-30
[10]
含钛的硅氧化物的制造方法、环氧化物的制造方法和含钛的硅氧化物
[P].
的场元志
论文数:
0
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0
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的场元志
.
中国专利
:CN113905987A
,2022-01-07
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