一种高光提取效率的垂直结构LED芯片及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201711487489.X
申请日
2017-12-30
公开(公告)号
CN108346728A
公开(公告)日
2018-07-31
发明(设计)人
李国强
申请人
申请人地址
517000 广东省河源市高新技术开发区高新五路众拓光电
IPC主分类号
H01L3344
IPC分类号
H01L3300
代理机构
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288
代理人
邵穗娟;汤喜友
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
张子辰 ;
张云鹏 ;
郭晓萍 ;
曾禹 ;
黄振强 .
中国专利 :CN107507892A ,2017-12-22
[2]
高光提取效率的LED芯片结构 [P]. 
张秀敏 .
中国专利 :CN214336735U ,2021-10-01
[3]
一种高发光效率的垂直结构LED芯片 [P]. 
李国强 ;
张子辰 ;
张云鹏 ;
郭晓萍 ;
曾禹 ;
黄振强 .
中国专利 :CN207217574U ,2018-04-10
[4]
高光提取效率的LED芯片结构及其制作方法 [P]. 
张秀敏 .
中国专利 :CN112510128A ,2021-03-16
[5]
一种垂直结构LED芯片及其制备方法 [P]. 
李国强 .
中国专利 :CN114725269A ,2022-07-08
[6]
一种高光提取效率的LED结构及其制备方法 [P]. 
韩云鑫 ;
魏唯 ;
陈峰武 ;
巩小亮 .
中国专利 :CN103730546A ,2014-04-16
[7]
一种垂直结构LED芯片及其制备方法 [P]. 
李国强 .
中国专利 :CN114784167A ,2022-07-22
[8]
一种提高光提取效率的LED芯片结构及制备方法 [P]. 
周玮琦 ;
何乃龙 ;
潘江涌 ;
沈忠文 ;
苏中方 ;
张宇宁 .
中国专利 :CN117976790A ,2024-05-03
[9]
一种可提高光提取效率的LED芯片及其制备方法 [P]. 
俄文文 ;
张童 ;
徐广源 ;
李晋闽 ;
张晓娜 ;
李勇强 .
中国专利 :CN118738238A ,2024-10-01
[10]
一种可提高光提取效率的LED芯片及其制备方法 [P]. 
俄文文 ;
张童 ;
徐广源 ;
李晋闽 ;
张晓娜 ;
李勇强 .
中国专利 :CN118738238B ,2025-10-17