一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710743693.7

申请日：

2017-08-25

公开(公告)号：

CN107507892A

公开(公告)日：

2017-12-22

发明(设计)人：

李国强张子辰张云鹏郭晓萍曾禹黄振强

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3320 H01L3332 H01L3346

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈智英

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-22	公开	公开
2018-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20170825

共 50 条

[1]

一种高发光效率的垂直结构LED芯片 [P].

李国强 ;

张子辰 ;

张云鹏 ;

郭晓萍 ;

曾禹 ;

黄振强 .

中国专利 :CN207217574U ,2018-04-10

[2]

一种高光提取效率的垂直结构LED芯片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN108346728A ,2018-07-31

[3]

提高发光效率的LED芯片结构 [P].

邓群雄 ;

郭文平 ;

柯志杰 ;

黄慧诗 .

中国专利 :CN203521452U ,2014-04-02

[4]

一种具有高发光效率的LED芯片及其制备方法 [P].

陈庆 ;

司文彬 ;

曾军堂 .

中国专利 :CN107591472A ,2018-01-16

[5]

提高发光效率的LED芯片结构 [P].

邓群雄 ;

郭文平 ;

柯志杰 ;

黄慧诗 .

中国专利 :CN103531682A ,2014-01-22

[6]

一种提高发光效率的LED芯片及其制备方法 [P].

郑琪 ;

王华清 ;

李荣源 ;

齐向波 ;

董炜玮 ;

马利伟 .

中国专利 :CN104393151A ,2015-03-04

[7]

一种提高发光效率的芯片结构及其制备方法 [P].

蔡琳榕 ;

唐如梦 ;

吴东东 .

中国专利 :CN118867084A ,2024-10-29

[8]

一种垂直结构LED芯片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN114725269A ,2022-07-08

[9]

制备高发光效率AlGaN纳米柱LED结构的方法 [P].

刘斌 ;

张东祺 ;

陶涛 ;

邵鹏飞 ;

张荣 .

中国专利 :CN115020556A ,2022-09-06

[10]

一种高发光效率的LED灯芯片 [P].

张泽元 ;

汪孟昌 ;

石淼 .

中国专利 :CN220749863U ,2024-04-09

← 1 2 3 4 5 →