一种具有高发光效率的LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710705841.6

申请日：

2017-08-17

公开(公告)号：

CN107591472A

公开(公告)日：

2018-01-16

发明(设计)人：

陈庆司文彬曾军堂

申请人：

申请人地址：

610091 四川省成都市青羊区蛟龙工业港东海路4座

IPC主分类号：

H01L3350

IPC分类号：

H01L3352

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

一种提高发光效率的LED芯片及其制备方法 [P].

郑琪 ;

王华清 ;

李荣源 ;

齐向波 ;

董炜玮 ;

马利伟 .

中国专利 :CN104393151A ,2015-03-04

[2]

一种具有高发光效率的LED芯片及其制作方法 [P].

王海燕 .

中国专利 :CN106558638A ,2017-04-05

[3]

一种提高发光效率的LED芯片 [P].

高俊民 ;

许键 ;

吴伟东 ;

李爱玲 ;

成涛 ;

王占伟 ;

于海莲 .

中国专利 :CN204230284U ,2015-03-25

[4]

一种提高发光效率的LED芯片 [P].

吴烈飞 .

中国专利 :CN216849974U ,2022-06-28

[5]

一种高发光效率的量子点白光LED及其制备方法 [P].

罗小兵 ;

谢斌 ;

程焱华 ;

舒伟程 ;

张晓钰 ;

王超凡 ;

余兴建 .

中国专利 :CN106972092A ,2017-07-21

[6]

提高发光效率的LED芯片结构 [P].

邓群雄 ;

郭文平 ;

柯志杰 ;

黄慧诗 .

中国专利 :CN203521452U ,2014-04-02

[7]

提高发光效率的LED芯片结构 [P].

邓群雄 ;

郭文平 ;

柯志杰 ;

黄慧诗 .

中国专利 :CN103531682A ,2014-01-22

[8]

一种高发光效率的LED的封装结构 [P].

何文铭 .

中国专利 :CN201475693U ,2010-05-19

[9]

一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法 [P].

李国强 ;

张子辰 ;

张云鹏 ;

郭晓萍 ;

曾禹 ;

黄振强 .

中国专利 :CN107507892A ,2017-12-22

[10]

一种高发光效率的GaN基LED芯片 [P].

罗东 ;

李辛 ;

杨艳敏 ;

董前民 ;

黄杰 ;

梁培 .

中国专利 :CN203406317U ,2014-01-22

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/50 申请日:20170817
2021-01-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/50 登记生效日:20201231 变更事项:专利权人变更前权利人:华引芯（武汉）科技有限公司变更后权利人:贵州华创芯光科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来城龙山创新园一期A5北区4栋7层701单元706室变更后权利人:550000 贵州省贵阳市南明区花果园五里冲花果园项目V区第15栋1单元48-49层[花果园社区]
2019-07-16	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 33/50 登记生效日:20190626 变更事项:申请人变更前权利人:成都新柯力化工科技有限公司变更后权利人:华引芯（武汉）科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:610091 四川省成都市青羊区蛟龙工业港东海路4座变更后权利人:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来城龙山创新园一期A5北区4栋7层701单元706室
2021-09-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/50 登记生效日:20210907 变更事项:专利权人变更前权利人:贵州华创芯光科技有限公司变更后权利人:华引芯（武汉）科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:550000 贵州省贵阳市南明区花果园五里冲花果园项目V区第15栋1单元48-49层[花果园社区] 变更后权利人:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来城龙山创新园一期A5北区4栋7层701单元706室
2019-07-16	授权	授权
2018-01-16	公开	公开