制备高发光效率AlGaN纳米柱LED结构的方法

被引：0

申请号：

CN202210651918.7

申请日：

2022-06-10

公开(公告)号：

CN115020556A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

刘斌张东祺陶涛邵鹏飞张荣

申请人：

申请人地址：

210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332 H01L3300 B82Y3000

代理机构：

江苏斐多律师事务所 32332

代理人：

张佳妮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-06	公开	公开
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20220610

共 50 条

[1]

高发光效率的量子阱组合LED外延结构及其制备方法 [P].

柳颜欣 ;

曲爽 ;

马旺 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN105355737A ,2016-02-24

[2]

提高发光效率的LED芯片结构 [P].

邓群雄 ;

郭文平 ;

柯志杰 ;

黄慧诗 .

中国专利 :CN203521452U ,2014-04-02

[3]

提高发光效率的LED芯片结构 [P].

邓群雄 ;

郭文平 ;

柯志杰 ;

黄慧诗 .

中国专利 :CN103531682A ,2014-01-22

[4]

高发光效率的LED灯 [P].

许孙 .

中国专利 :CN106560649A ,2017-04-12

[5]

AlGaN基纳米柱阵列紫外LED外延片及其制备方法 [P].

宋世金 ;

雷江涛 ;

纪东 ;

马超群 .

中国专利 :CN117712257A ,2024-03-15

[6]

一种高发光效率的垂直结构LED芯片及其制备方法 [P].

李国强 ;

张子辰 ;

张云鹏 ;

郭晓萍 ;

曾禹 ;

黄振强 .

中国专利 :CN107507892A ,2017-12-22

[7]

高发光率LED的制备方法及高发光率LED [P].

尹晓雪 .

中国专利 :CN107863441A ,2018-03-30

[8]

一种高发光效率的垂直结构LED芯片 [P].

李国强 ;

张子辰 ;

张云鹏 ;

郭晓萍 ;

曾禹 ;

黄振强 .

中国专利 :CN207217574U ,2018-04-10

[9]

具有高发光效率的LED设备 [P].

袁志贤 .

中国专利 :CN205842228U ,2016-12-28

[10]

具有高发光效率的LED设备 [P].

袁志贤 .

中国专利 :CN106090635A ,2016-11-09

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