一种CVD碳化硅涂层和超长碳化硅纳米线共同制备的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910316429.4

申请日：

2019-04-19

公开(公告)号：

CN110065944A

公开(公告)日：

2019-07-30

发明(设计)人：

陈照峰刘佳宝

申请人：

申请人地址：

215400 江苏省苏州市太仓市城厢镇人民南路162号

IPC主分类号：

C01B32977

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/977 申请日:20190419
2019-07-30	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅纳米线结合碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

高万源 .

中国专利 :CN120229963A ,2025-07-01

[2]

一种制备超长碳化硅纳米线的方法 [P].

胡平 ;

董顺 ;

张东洋 ;

方成 ;

张幸红 .

中国专利 :CN104445200B ,2015-03-25

[3]

一种超长碳化硅纳米线的制备方法 [P].

魏剑 ;

陈晋 .

中国专利 :CN102351182A ,2012-02-15

[4]

一种连续式制备碳化硅纳米线增韧碳化硅涂层的方法 [P].

白瑞成 ;

季志豪 ;

郭子源 ;

李爱军 ;

霍彩霞 ;

张齐贤 ;

涂建新 ;

于朔 ;

周亚迪 .

中国专利 :CN117888081A ,2024-04-16

[5]

碳化硅纳米线的制备方法 [P].

李克智 ;

魏剑 ;

李贺军 ;

张雨雷 ;

欧阳海波 .

中国专利 :CN101215187A ,2008-07-09

[6]

一种超长碳化硅纳米线的制备方法 [P].

王辉 ;

齐美洲 ;

杨立铭 .

中国专利 :CN107445167A ,2017-12-08

[7]

碳化硅纳米线的微波制备方法 [P].

曾燮榕 ;

符冬菊 ;

邹继兆 ;

黎晓华 .

中国专利 :CN102373505A ,2012-03-14

[8]

一种碳化硅纳米线结合碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

高万源 .

中国专利 :CN120229958A ,2025-07-01

[9]

一种碳化硅纳米线的制备方法 [P].

蔡克峰 ;

雷强 .

中国专利 :CN100384725C ,2007-01-24

[10]

一种碳化硅纳米线的制备方法 [P].

沈晓燕 ;

陈林 ;

黄勇峰 .

中国专利 :CN108502885B ,2018-09-07

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