一种连续式制备碳化硅纳米线增韧碳化硅涂层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311839201.6

申请日：

2023-12-28

公开(公告)号：

CN117888081A

公开(公告)日：

2024-04-16

发明(设计)人：

白瑞成季志豪郭子源李爱军霍彩霞张齐贤涂建新于朔周亚迪

申请人：

上海大学上海大学绍兴研究院

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

C23C16/44

IPC分类号：

C23C16/32 C23C16/02 B82Y30/00 B82Y40/00

代理机构：

上海新隆知识产权代理事务所(普通合伙) 31366

代理人：

刘兰英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/44申请日:20231228
2024-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种原位碳化硅纳米线增韧碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

李露 ;

孙冰 ;

马朝利 ;

李志坚 ;

徐昊 .

中国专利 :CN111848196B ,2020-10-30

[2]

碳化硅纳米线结合碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

高万源 .

中国专利 :CN120229963A ,2025-07-01

[3]

一种CVD碳化硅涂层和超长碳化硅纳米线共同制备的方法 [P].

陈照峰 ;

刘佳宝 .

中国专利 :CN110065944A ,2019-07-30

[4]

碳化硅纳米线的制备方法 [P].

李克智 ;

魏剑 ;

李贺军 ;

张雨雷 ;

欧阳海波 .

中国专利 :CN101215187A ,2008-07-09

[5]

碳化硅涂层的制备方法与带有碳化硅涂层的基体 [P].

请求不公布姓名 ;

门玉娟 ;

请求不公布姓名 ;

傅霖兵 ;

春伟博 .

中国专利 :CN118685758B ,2024-12-17

[6]

碳化硅涂层的制备方法与带有碳化硅涂层的基体 [P].

请求不公布姓名 ;

门玉娟 ;

请求不公布姓名 ;

傅霖兵 ;

春伟博 .

中国专利 :CN118685758A ,2024-09-24

[7]

一种碳化硅纳米线结合碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

高万源 .

中国专利 :CN120229958A ,2025-07-01

[8]

碳化硅纳米线原位增强的碳化硅纤维材料及其制备方法 [P].

余金山 ;

周新贵 ;

王洪磊 ;

曾穗娟 ;

殷刘彦 ;

杨备 ;

杨会永 .

中国专利 :CN106319934B ,2017-01-11

[9]

一种超长碳化硅纳米线的制备方法 [P].

魏剑 ;

陈晋 .

中国专利 :CN102351182A ,2012-02-15

[10]

碳化硅纳米线的微波制备方法 [P].

曾燮榕 ;

符冬菊 ;

邹继兆 ;

黎晓华 .

中国专利 :CN102373505A ,2012-03-14

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