光辅助方法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010118289.9

申请日：

2010-03-05

公开(公告)号：

CN101814553B

公开(公告)日：

2010-08-25

发明(设计)人：

黄富强王耀明

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

磁控溅射法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的方法 [P].

黄富强 ;

王耀明 ;

朱小龙 ;

李爱民 ;

张雷 .

中国专利 :CN101768729A ,2010-07-07

[2]

铜铟镓硒薄膜太阳电池用光吸收层的制备方法 [P].

赵彦民 ;

方小红 ;

王庆华 ;

李巍 .

中国专利 :CN101771100A ,2010-07-07

[3]

一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜的制备方法 [P].

王金晓 ;

冯煜东 ;

王艺 ;

王志民 ;

赵慨 ;

速小梅 ;

王虎 ;

杨淼 .

中国专利 :CN104538492A ,2015-04-22

[4]

铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的硒化方法 [P].

赵彦民 ;

刘兴江 ;

方小红 ;

王庆华 ;

冯金晖 .

中国专利 :CN102097522A ,2011-06-15

[5]

铜铟镓硒硫薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 [P].

黄富强 ;

王耀明 ;

朱小龙 ;

吕旭杰 ;

王晶 .

中国专利 :CN101789469B ,2010-07-28

[6]

铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法 [P].

李微 .

中国专利 :CN102943237A ,2013-02-27

[7]

柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法 [P].

方小红 .

中国专利 :CN101459200B ,2009-06-17

[8]

铜铟镓硒薄膜太阳电池窗口层的制备方法 [P].

方小红 ;

李微 .

中国专利 :CN101908583B ,2010-12-08

[9]

铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 [P].

黄富强 ;

王耀明 .

中国专利 :CN101960610B ,2011-01-26

[10]

柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法 [P].

方小红 ;

王庆华 ;

赵彦民 ;

冯金晖 ;

杨立 .

中国专利 :CN100550434C ,2008-04-23

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/18 登记生效日:20200210 变更事项:专利权人变更前权利人:上海富际新能源科技有限公司变更后权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更事项:地址变更前权利人:200335 上海市长宁区广顺路33号8幢2层2172室变更后权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号
2021-05-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/18 登记生效日:20210517 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更后权利人:山东中科泰阳光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号变更后权利人:272113 山东省济宁市济宁经济开发区疃里镇嘉诚路与呈祥大道交汇处圣祥小镇
2016-10-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更后权利人:200335 上海市长宁区广顺路33号8幢2层2172室号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101740372420 IPC(主分类):H01L 31/18 专利号:ZL2010101182899 登记生效日:20160927 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更后权利人:上海富际新能源科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号
2010-08-25	公开	公开
2010-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101007486037 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010101182899 申请日:20100305
2011-10-05	授权	授权