一种晶体硅太阳能电池刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310086176.9

申请日：

2013-03-19

公开(公告)号：

CN103178159B

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

吴春霞

申请人：

申请人地址：

212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

楼高潮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	授权	授权
2013-06-26	公开	公开
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101497331684 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2013100861769 申请日:20130319
2018-04-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20130319 授权公告日:20160525 终止日期:20170319

共 50 条

[1]

晶体硅太阳能电池的制作方法及晶体硅太阳能电池 [P].

张洪超 ;

童洪波 ;

李华 ;

刘继宇 .

中国专利 :CN112216766A ,2021-01-12

[2]

晶体硅太阳能电池的退火方法和晶体硅太阳能电池 [P].

李吉 ;

杨联赞 ;

时宝 ;

林纲正 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113782636A ,2021-12-10

[3]

一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池 [P].

杨楠楠 ;

金井升 ;

张彼克 .

中国专利 :CN112599636A ,2021-04-02

[4]

晶体硅太阳能电池的热处理方法 [P].

邵爱军 ;

张忠 .

中国专利 :CN100536177C ,2008-08-13

[5]

一种晶体硅太阳能电池片扩散层的刻蚀方法 [P].

秦超 ;

蒋健 .

中国专利 :CN102290491A ,2011-12-21

[6]

一种晶体硅太阳能电池刻蚀工艺 [P].

徐峰 ;

谢毅 ;

陈刚 ;

谭飞 ;

徐光 .

中国专利 :CN107887269A ,2018-04-06

[7]

一种晶体硅太阳能电池片 [P].

程晶 ;

范维涛 ;

勾宪芳 .

中国专利 :CN204303822U ,2015-04-29

[8]

晶体硅太阳能电池的制备方法 [P].

范志东 ;

郭延岭 ;

赵学玲 ;

张小盼 .

中国专利 :CN102800753A ,2012-11-28

[9]

晶体硅太阳能电池及其钝化方法 [P].

李广 .

中国专利 :CN102169924A ,2011-08-31

[10]

一种晶体硅太阳能电池 [P].

杨伟强 ;

宋倩倩 ;

李吉 .

中国专利 :CN203192804U ,2013-09-11

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