一种晶体硅太阳能电池刻蚀工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711067425.4

申请日：

2017-11-03

公开(公告)号：

CN107887269A

公开(公告)日：

2018-04-06

发明(设计)人：

徐峰谢毅陈刚谭飞徐光

申请人：

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L213065 H01L3118

代理机构：

昆明合众智信知识产权事务所 53113

代理人：

张玺

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/306 申请公布日:20180406
2018-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20171103
2018-04-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种晶体硅太阳能电池边缘刻蚀工艺 [P].

焦云峰 ;

杨青天 ;

程谦礼 ;

李玉花 .

中国专利 :CN101777605A ,2010-07-14

[2]

晶体硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池 [P].

董清世 ;

万军鹏 .

中国专利 :CN102456762A ,2012-05-16

[3]

一种晶体硅太阳能电池刻蚀方法 [P].

吴春霞 .

中国专利 :CN103178159B ,2013-06-26

[4]

晶体硅太阳能电池分选机 [P].

熊邦海 ;

罗新红 ;

胡荣 .

中国专利 :CN302064201S ,2012-09-05

[5]

晶体硅太阳能电池制造工艺 [P].

陈怀之 ;

王刚 ;

聂海涛 ;

张仁友 ;

胡国波 .

中国专利 :CN105514221A ,2016-04-20

[6]

晶体硅太阳能电池 [P].

陶科 ;

贾锐 ;

孙恒超 ;

戴小宛 ;

侯彩霞 .

中国专利 :CN108091711A ,2018-05-29

[7]

晶体硅太阳能电池 [P].

黄麟 .

中国专利 :CN201289855Y ,2009-08-12

[8]

晶体硅太阳能电池 [P].

夏正月 ;

任常瑞 ;

张满良 ;

高艳涛 ;

陶龙忠 ;

张斌 ;

邢国强 .

中国专利 :CN203325915U ,2013-12-04

[9]

晶体硅太阳能电池 [P].

黄麟 .

中国专利 :CN201752016U ,2011-02-23

[10]

晶体硅太阳能电池 [P].

黄麟 .

中国专利 :CN101562207A ,2009-10-21

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