一种晶体硅太阳能电池边缘刻蚀工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010124221.1

申请日：

2010-03-15

公开(公告)号：

CN101777605A

公开(公告)日：

2010-07-14

发明(设计)人：

焦云峰杨青天程谦礼李玉花

申请人：

申请人地址：

山东省济南市经十东路30766号力诺科技园力诺太阳能电力股份有限公司

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

济南舜源专利事务所有限公司 37205

代理人：

宋玉霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005742007 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010101242211 申请日:20100315
2010-07-14	公开	公开
2012-02-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101283526079 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010101242211 公开日:20100714

共 50 条

[1]

一种晶体硅太阳能电池刻蚀工艺 [P].

徐峰 ;

谢毅 ;

陈刚 ;

谭飞 ;

徐光 .

中国专利 :CN107887269A ,2018-04-06

[2]

一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺 [P].

焦云峰 ;

杨青天 ;

程谦礼 .

中国专利 :CN101800264A ,2010-08-11

[3]

一种晶体硅太阳能电池刻蚀方法 [P].

吴春霞 .

中国专利 :CN103178159B ,2013-06-26

[4]

晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置 [P].

程曦 ;

马煜隆 ;

段甜健 ;

李理 ;

夏伟 ;

包崇彬 ;

李质磊 ;

盛雯婷 ;

张凤鸣 .

中国专利 :CN202332919U ,2012-07-11

[5]

晶体硅太阳能电池制造工艺 [P].

陈怀之 ;

王刚 ;

聂海涛 ;

张仁友 ;

胡国波 .

中国专利 :CN105514221A ,2016-04-20

[6]

晶体硅太阳能电池 [P].

陶科 ;

贾锐 ;

孙恒超 ;

戴小宛 ;

侯彩霞 .

中国专利 :CN108091711A ,2018-05-29

[7]

晶体硅太阳能电池 [P].

黄麟 .

中国专利 :CN201289855Y ,2009-08-12

[8]

晶体硅太阳能电池 [P].

夏正月 ;

任常瑞 ;

张满良 ;

高艳涛 ;

陶龙忠 ;

张斌 ;

邢国强 .

中国专利 :CN203325915U ,2013-12-04

[9]

晶体硅太阳能电池 [P].

黄麟 .

中国专利 :CN201752016U ,2011-02-23

[10]

晶体硅太阳能电池 [P].

黄麟 .

中国专利 :CN101562207A ,2009-10-21

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