一种用晶体硅金刚线切割废料制备纳米二氧化硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910738673.X

申请日：

2019-08-12

公开(公告)号：

CN110357115B

公开(公告)日：

2019-10-22

发明(设计)人：

邢鹏飞孙钰杰李大纲都兴红庄艳歆冯忠宝闫姝

申请人：

申请人地址：

110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

沈阳东大知识产权代理有限公司 21109

代理人：

梁焱

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/18 申请日:20190812
2022-12-27	授权	授权
2019-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用晶体硅金刚线切割废料制备微米级二氧化硅的方法 [P].

邢鹏飞 ;

孙钰杰 ;

李大纲 ;

都兴红 ;

庄艳歆 ;

冯忠宝 ;

闫姝 .

中国专利 :CN110282634A ,2019-09-27

[2]

由金刚线切割硅片废料湿法氧化制备纳米级二氧化硅的方法 [P].

张梅 ;

李翔 ;

吉恒松 ;

唐恺 ;

胡少嘉 ;

李克帆 ;

冉心远 .

中国专利 :CN114180584A ,2022-03-15

[3]

一种用晶体硅的金刚线切割废料制备纳米碳化硅的方法 [P].

邢鹏飞 ;

姜胜南 ;

都兴红 ;

李耘霆 ;

王寅超 ;

吕竟一 ;

甘浩然 .

中国专利 :CN109734098A ,2019-05-10

[4]

纳米二氧化硅制备方法 [P].

任天斌 ;

肖国权 ;

韩宇 .

中国专利 :CN103897436A ,2014-07-02

[5]

一种用晶体硅的金刚线切割废料制备晶体硅的方法 [P].

邢鹏飞 ;

魏冬卉 ;

孔剑 ;

金星 ;

都兴红 ;

冯忠宝 .

中国专利 :CN107747119A ,2018-03-02

[6]

纳米二氧化硅的制备方法 [P].

王永庆 .

中国专利 :CN104150490B ,2014-11-19

[7]

纳米二氧化硅的制备方法 [P].

陈全羿 .

中国专利 :CN117819558A ,2024-04-05

[8]

纳米二氧化硅的制备方法 [P].

杨儒 ;

李敏 ;

张广延 ;

刘埃林 ;

孔建民 ;

汪英杰 ;

周立平 ;

钟后国 ;

沈军 .

中国专利 :CN1273382C ,2005-06-15

[9]

纳米二氧化硅的制备方法 [P].

李丹 ;

谷振宇 ;

王固霞 ;

郭生伟 .

中国专利 :CN120903514A ,2025-11-07

[10]

一种晶体纳米二氧化硅及其制备方法 [P].

张治军 ;

李小红 ;

刘培松 ;

高春浩 ;

宗兰兰 .

中国专利 :CN111646480B ,2020-09-11

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