调节石墨烯禁带宽度的方法、石墨烯半导体元件、半导体和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110293254.7

申请日：

2021-03-18

公开(公告)号：

CN112875688A

公开(公告)日：

2021-06-01

发明(设计)人：

金奕千彭苏萍

申请人：

申请人地址：

100000 北京市海淀区学院路丁11号

IPC主分类号：

C01B32184

IPC分类号：

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

刘建荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/184 申请日:20210318
2021-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

禁带宽度可调节的氧化石墨烯半导体薄膜的制备方法、氧化石墨烯半导体薄膜及其应用 [P].

金奕千 ;

彭苏萍 ;

杨志宾 ;

熊星宇 .

中国专利 :CN118306986A ,2024-07-09

[2]

禁带宽度可调节的氧化石墨烯半导体薄膜的制备方法、氧化石墨烯半导体薄膜及其应用 [P].

金奕千 ;

彭苏萍 ;

杨志宾 ;

熊星宇 .

中国专利 :CN118306986B ,2025-11-25

[3]

具有石墨烯层的半导体元件及其制备方法 [P].

杨宬苓 .

中国专利 :CN113964125A ,2022-01-21

[4]

带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法 [P].

马雷 ;

张凯敏 ;

田昊 ;

郝路珍 ;

景怡佳 .

中国专利 :CN118206110B ,2024-09-17

[5]

带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法 [P].

马雷 ;

张凯敏 ;

田昊 ;

郝路珍 ;

景怡佳 .

中国专利 :CN118206110A ,2024-06-18

[6]

在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯 [P].

聂东 ;

王定官 ;

范津维 ;

何家源 ;

林浩 ;

陈建业 ;

胡静怡 ;

许凯东 .

中国专利 :CN120288759A ,2025-07-11

[7]

在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯 [P].

聂东 ;

王定官 ;

范津维 ;

何家源 ;

林浩 ;

陈建业 ;

胡静怡 ;

许凯东 .

中国专利 :CN120288759B ,2025-09-02

[8]

多孔石墨烯半导体的制备方法 [P].

王定官 ;

毛军发 ;

何家源 ;

易虹羽 ;

高承毅 ;

韩成 .

中国专利 :CN117684130A ,2024-03-12

[9]

石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN105845543A ,2016-08-10

[10]

基于石墨烯的半导体优化导热结构 [P].

李文华 ;

宋伯炜 ;

陈明政 ;

金晓隽 ;

范莹莹 .

中国专利 :CN209659701U ,2019-11-19

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