在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510772453.4

申请日：

2025-06-11

公开(公告)号：

CN120288759A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

聂东王定官范津维何家源林浩陈建业胡静怡许凯东

申请人：

深圳大学

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

IPC主分类号：

C01B32/188

IPC分类号：

代理机构：

深圳市添源创鑫知识产权代理有限公司 44855

代理人：

覃迎峰

法律状态：

公开

国省代码：

广东省佛山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	公开	公开
2025-09-02	授权	授权
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 32/188申请日:20250611

共 50 条

[1]

在半导体衬底表面合成多孔石墨烯的方法和基于半导体衬底表面的多孔石墨烯 [P].

聂东 ;

王定官 ;

范津维 ;

何家源 ;

林浩 ;

陈建业 ;

胡静怡 ;

许凯东 .

中国专利 :CN120288759B ,2025-09-02

[2]

多孔石墨烯半导体的制备方法 [P].

王定官 ;

毛军发 ;

何家源 ;

易虹羽 ;

高承毅 ;

韩成 .

中国专利 :CN117684130A ,2024-03-12

[3]

半导体衬底的表面处理方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102909639B ,2013-02-06

[4]

多孔半导体处理衬底 [P].

S·A·法内利 ;

R·哈蒙德 .

中国专利 :CN110462788A ,2019-11-15

[5]

多孔表面和半导体表面的清洗方法 [P].

藤山靖朋 ;

云见日出也 .

中国专利 :CN1132229C ,1997-12-03

[6]

半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件 [P].

竹中正浩 .

中国专利 :CN1259694C ,2004-04-07

[7]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[8]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[9]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[10]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

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