半导体衬底的表面处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210422897.8

申请日：

2012-10-30

公开(公告)号：

CN102909639B

公开(公告)日：

2013-02-06

发明(设计)人：

魏星曹共柏张峰张苗王曦

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

B24B2902

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

孙佳胤;翟羽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101481530415 IPC(主分类):B24B 29/02 专利申请号:2012104228978 申请日:20121030
2013-02-06	公开	公开
2016-02-24	授权	授权

共 50 条

[1]

衬底的表面处理方法和带有绝缘埋层衬底的制作方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102768980A ,2012-11-07

[2]

半导体衬底的制备方法 [P].

高晋文 ;

郭佳惠 ;

徐家骏 ;

黄峰 ;

张晨艳 .

中国专利 :CN119143077B ,2025-11-28

[3]

半导体衬底的制备方法 [P].

高晋文 ;

郭佳惠 ;

徐家骏 ;

黄峰 ;

张晨艳 .

中国专利 :CN119143077A ,2024-12-17

[4]

半导体衬底的处理方法 [P].

赵伟 .

中国专利 :CN120210722A ,2025-06-27

[5]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[6]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[7]

带有空腔的半导体衬底的制备方法 [P].

叶斐 ;

马乾志 ;

王中党 .

中国专利 :CN103400797B ,2013-11-20

[8]

用于半导体衬底的表面处理的方法 [P].

V·迪帕尔玛 ;

F·波罗 .

中国专利 :CN105711258A ,2016-06-29

[9]

用于半导体衬底的表面处理的方法 [P].

V·迪帕尔玛 ;

F·波罗 .

中国专利 :CN107856417A ,2018-03-30

[10]

带有绝缘埋层的衬底的表面处理方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102768949A ,2012-11-07

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