衬底的表面处理方法和带有绝缘埋层衬底的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210233289.2

申请日：

2012-07-06

公开(公告)号：

CN102768980A

公开(公告)日：

2012-11-07

发明(设计)人：

魏星曹共柏张峰张苗王曦

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

孙佳胤;翟羽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101407318159 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012102332892 申请日:20120706
2012-11-07	公开	公开
2018-04-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/762 申请公布日:20121107

共 50 条

[1]

带有绝缘埋层的衬底的表面处理方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102768949A ,2012-11-07

[2]

半导体衬底的表面处理方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102909639B ,2013-02-06

[3]

采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法 [P].

王曦 ;

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101707188B ,2010-05-12

[4]

腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法 [P].

王湘 ;

魏星 .

中国专利 :CN101599452B ,2009-12-09

[5]

制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 [P].

魏星 ;

仰庶 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102299093A ,2011-12-28

[6]

一种带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法 [P].

陈杰 ;

叶斐 ;

李显元 ;

陈国兴 .

中国专利 :CN101707187B ,2010-05-12

[7]

对带有绝缘埋层的半导体衬底进行边缘倒角的方法 [P].

王湘 ;

魏星 .

中国专利 :CN101599451B ,2009-12-09

[8]

处理衬底的方法和衬底 [P].

佩卡·劳卡宁 ;

约科·朗 ;

马尔科·蓬基宁 ;

马留卡·图奥米宁 ;

韦科·图奥米宁 ;

约翰尼·达尔 ;

尤哈尼·韦于吕宁 .

中国专利 :CN103201827A ,2013-07-10

[9]

带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法 [P].

尚岩峰 ;

张俊超 ;

汪辉 ;

陈杰 ;

汪宁 ;

苗田乐 .

中国专利 :CN102332461B ,2012-01-25

[10]

一种外延InSb衬底的表面处理方法 [P].

程鹏 ;

赵超 ;

刘铭 .

中国专利 :CN103236396B ,2013-08-07

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