对带有绝缘埋层的半导体衬底进行边缘倒角的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910054626.X

申请日：

2009-07-10

公开(公告)号：

CN101599451B

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

王湘魏星

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L21304 H01L213105

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

翟羽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-09	公开	公开
2013-08-07	授权	授权

共 50 条

[1]

制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 [P].

魏星 ;

仰庶 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102299093A ,2011-12-28

[2]

腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法 [P].

王湘 ;

魏星 .

中国专利 :CN101599452B ,2009-12-09

[3]

带有绝缘埋层的半导体结构及其制备方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN103022139A ,2013-04-03

[4]

采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 [P].

魏星 ;

王中党 ;

叶斐 ;

曹共柏 ;

林成鲁 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102130039B ,2011-07-20

[5]

采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 [P].

魏星 ;

王中党 ;

叶斐 ;

曹共柏 ;

林成鲁 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102130037A ,2011-07-20

[6]

一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101604631A ,2009-12-16

[7]

制造半导体衬底的方法 [P].

亚历克西斯·德劳因 ;

伯哈德·阿斯帕 ;

克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯 ;

奥利弗·勒杜 ;

克里斯托夫·菲盖 .

中国专利 :CN102623470B ,2012-08-01

[8]

制造半导体衬底的方法 [P].

亚历克西斯·德劳因 ;

伯哈德·阿斯帕 ;

克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯 ;

奥利弗·勒杜 ;

克里斯托夫·菲盖 .

中国专利 :CN101904017A ,2010-12-01

[9]

采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法 [P].

王曦 ;

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101707188B ,2010-05-12

[10]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

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