一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910053505.3

申请日：

2009-06-19

公开(公告)号：

CN101604631A

公开(公告)日：

2009-12-16

发明(设计)人：

魏星王湘李显元张苗王曦林成鲁

申请人：

申请人地址：

201821上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L21762 H01L2184 H01L2120

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所（普通合伙）

代理人：

翟羽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001358702 IPC(主分类):H01L 21/31 专利申请号:2009100535053 申请日:20090619
2009-12-16	公开	公开
2012-06-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101391929141 IPC(主分类):H01L 21/31 专利申请号:2009100535053 公开日:20091216

共 50 条

[1]

制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 [P].

魏星 ;

仰庶 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102299093A ,2011-12-28

[2]

一种制备混合晶向半导体衬底的方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101609800B ,2009-12-23

[3]

对带有绝缘埋层的半导体衬底进行边缘倒角的方法 [P].

王湘 ;

魏星 .

中国专利 :CN101599451B ,2009-12-09

[4]

带有绝缘埋层的半导体结构及其制备方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN103022139A ,2013-04-03

[5]

采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 [P].

魏星 ;

王中党 ;

叶斐 ;

曹共柏 ;

林成鲁 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102130039B ,2011-07-20

[6]

采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 [P].

魏星 ;

王中党 ;

叶斐 ;

曹共柏 ;

林成鲁 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102130037A ,2011-07-20

[7]

半导体衬底的制备方法及半导体衬底 [P].

邱宇航 ;

周颖 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN109326516A ,2019-02-12

[8]

具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101692436A ,2010-04-07

[9]

半导体衬底的制备方法 [P].

P·C·斯佩登斯 ;

M·A·沙尔特 ;

M·J·哈劳 ;

D·J·纽森 .

中国专利 :CN1092839C ,1997-07-23

[10]

带有绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王文宇 ;

曹共柏 .

中国专利 :CN102768981B ,2012-11-07

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