带有绝缘埋层的半导体结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210585600.X

申请日：

2012-12-28

公开(公告)号：

CN103022139A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

范春晖王全

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;林彦之

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596325572 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201210585600X 申请日:20121228
2017-06-23	授权	授权
2013-04-03	公开	公开

共 50 条

[1]

制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 [P].

魏星 ;

仰庶 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102299093A ,2011-12-28

[2]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

白杰 .

中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

金星 ;

宣锋 ;

程明霞 .

中国专利 :CN118900558A ,2024-11-05

[4]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

李项 ;

卢浩然 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN120916472A ,2025-11-07

[5]

对带有绝缘埋层的半导体衬底进行边缘倒角的方法 [P].

王湘 ;

魏星 .

中国专利 :CN101599451B ,2009-12-09

[6]

一种半导体结构及其制备方法 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN118076095A ,2024-05-24

[7]

采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 [P].

魏星 ;

王中党 ;

叶斐 ;

曹共柏 ;

林成鲁 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102130039B ,2011-07-20

[8]

采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 [P].

魏星 ;

王中党 ;

叶斐 ;

曹共柏 ;

林成鲁 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102130037A ,2011-07-20

[9]

半导体结构的制备方法及其结构 [P].

于业笑 ;

刘忠明 ;

张也非 .

中国专利 :CN120224713A ,2025-06-27

[10]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

曹先雷 .

中国专利 :CN114792756A ,2022-07-26

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