采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010607936.2

申请日：

2010-12-27

公开(公告)号：

CN102130037A

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

魏星王中党叶斐曹共柏林成鲁张苗王曦

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2148

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

翟羽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-20	公开	公开
2011-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101156510670 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2010106079362 申请日:20101227
2013-03-13	授权	授权

共 50 条

[1]

采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 [P].

魏星 ;

王中党 ;

叶斐 ;

曹共柏 ;

林成鲁 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102130039B ,2011-07-20

[2]

制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 [P].

魏星 ;

仰庶 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102299093A ,2011-12-28

[3]

采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法 [P].

王曦 ;

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101707188B ,2010-05-12

[4]

带有绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王文宇 ;

曹共柏 .

中国专利 :CN102768981B ,2012-11-07

[5]

带有绝缘埋层的半导体结构及其制备方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN103022139A ,2013-04-03

[6]

对带有绝缘埋层的半导体衬底进行边缘倒角的方法 [P].

王湘 ;

魏星 .

中国专利 :CN101599451B ,2009-12-09

[7]

一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101604631A ,2009-12-16

[8]

带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

叶斐 ;

张峰 ;

陈猛 ;

陈国兴 .

中国专利 :CN105261586A ,2016-01-20

[9]

半导体衬底的制造工艺 [P].

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1249531A ,2000-04-05

[10]

一种带有衬底埋层的半导体装置 [P].

陈文锁 ;

欧宏旗 ;

钟怡 ;

杨婵 ;

张培健 ;

刘建 .

中国专利 :CN206322702U ,2017-07-11

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