带有绝缘埋层衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210233324.0

申请日：

2012-07-06

公开(公告)号：

CN102768981B

公开(公告)日：

2012-11-07

发明(设计)人：

魏星王文宇曹共柏

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

孙佳胤;翟羽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-26	授权	授权
2013-03-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101406117641 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012102333240 申请日:20120706
2012-11-07	公开	公开

共 50 条

[1]

带有绝缘埋层的衬底的制备方法 [P].

张苗 ;

张波 .

中国专利 :CN101355024A ,2009-01-28

[2]

带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

叶斐 ;

张峰 ;

陈猛 ;

陈国兴 .

中国专利 :CN105261586A ,2016-01-20

[3]

带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

叶斐 ;

陈猛 ;

陈国兴 ;

张峰 .

中国专利 :CN105140107A ,2015-12-09

[4]

带有绝缘埋层的混合晶向衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102768983A ,2012-11-07

[5]

带有绝缘埋层的混合晶向衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

欧阳恩伟 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

林成鲁 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102768982A ,2012-11-07

[6]

制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 [P].

魏星 ;

仰庶 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102299093A ,2011-12-28

[7]

采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法 [P].

王曦 ;

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101707188B ,2010-05-12

[8]

一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法 [P].

张峰 ;

曹共柏 ;

魏星 ;

王文宇 ;

王曦 .

中国专利 :CN102201362A ,2011-09-28

[9]

采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 [P].

魏星 ;

王中党 ;

叶斐 ;

曹共柏 ;

林成鲁 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102130037A ,2011-07-20

[10]

一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101604631A ,2009-12-16

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