带有绝缘埋层的衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810038335.7

申请日：

2008-05-30

公开(公告)号：

CN101355024A

公开(公告)日：

2009-01-28

发明(设计)人：

张苗张波

申请人：

申请人地址：

201821上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21762 H01L2184 H01L21265 H01L2100

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所

代理人：

翟羽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-28	公开	公开
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-11-03	授权	授权

共 50 条

[1]

带有绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王文宇 ;

曹共柏 .

中国专利 :CN102768981B ,2012-11-07

[2]

带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

叶斐 ;

张峰 ;

陈猛 ;

陈国兴 .

中国专利 :CN105261586A ,2016-01-20

[3]

带有绝缘埋层的混合晶向衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102768983A ,2012-11-07

[4]

带有绝缘埋层的混合晶向衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

欧阳恩伟 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

林成鲁 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102768982A ,2012-11-07

[5]

带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

叶斐 ;

陈猛 ;

陈国兴 ;

张峰 .

中国专利 :CN105140107A ,2015-12-09

[6]

制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 [P].

魏星 ;

仰庶 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102299093A ,2011-12-28

[7]

采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法 [P].

王曦 ;

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101707188B ,2010-05-12

[8]

一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101604631A ,2009-12-16

[9]

一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

杨建 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101901753B ,2010-12-01

[10]

带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法 [P].

陈志卿 ;

汪辉 ;

陈杰 ;

汪宁 ;

尚岩峰 ;

田犁 .

中国专利 :CN102332460B ,2012-01-25

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