带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510526087.0

申请日：

2015-08-25

公开(公告)号：

CN105140107A

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

叶斐陈猛陈国兴张峰

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	公开	公开
2019-03-29	授权	授权
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101664086763 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015105260870 申请日:20150825

共 50 条

[1]

带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

叶斐 ;

张峰 ;

陈猛 ;

陈国兴 .

中国专利 :CN105261586A ,2016-01-20

[2]

带有电荷陷阱和绝缘埋层的衬底及其制备方法 [P].

魏星 ;

叶斐 ;

陈猛 ;

陈国兴 .

中国专利 :CN105226067B ,2016-01-06

[3]

带有绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王文宇 ;

曹共柏 .

中国专利 :CN102768981B ,2012-11-07

[4]

带有绝缘埋层的衬底的制备方法 [P].

张苗 ;

张波 .

中国专利 :CN101355024A ,2009-01-28

[5]

带有绝缘埋层的混合晶向衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102768983A ,2012-11-07

[6]

带有绝缘埋层的混合晶向衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

欧阳恩伟 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

林成鲁 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102768982A ,2012-11-07

[7]

制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 [P].

魏星 ;

仰庶 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102299093A ,2011-12-28

[8]

采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法 [P].

王曦 ;

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101707188B ,2010-05-12

[9]

带有图形化绝缘埋层的衬底的制作方法 [P].

叶斐 ;

张峰 .

中国专利 :CN103247568A ,2013-08-14

[10]

一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101604631A ,2009-12-16

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