带有电荷陷阱和绝缘埋层的衬底及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510526058.4

申请日：

2015-08-25

公开(公告)号：

CN105226067B

公开(公告)日：

2016-01-06

发明(设计)人：

魏星叶斐陈猛陈国兴

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101664314059 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2015105260584 申请日:20150825
2016-01-06	公开	公开
2018-07-24	授权	授权

共 50 条

[1]

带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

叶斐 ;

张峰 ;

陈猛 ;

陈国兴 .

中国专利 :CN105261586A ,2016-01-20

[2]

带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

叶斐 ;

陈猛 ;

陈国兴 ;

张峰 .

中国专利 :CN105140107A ,2015-12-09

[3]

电荷陷阱器件的擦除方法 [P].

白侊虎 .

中国专利 :CN103854701A ,2014-06-11

[4]

带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法 [P].

陈志卿 ;

汪辉 ;

陈杰 ;

汪宁 ;

尚岩峰 ;

田犁 .

中国专利 :CN102332460B ,2012-01-25

[5]

带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法 [P].

施琛 ;

陈杰 ;

汪辉 ;

尚岩峰 ;

汪宁 ;

田犁 .

中国专利 :CN102332463A ,2012-01-25

[6]

带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法 [P].

苗田乐 ;

陈杰 ;

汪辉 ;

汪宁 ;

尚岩峰 ;

田犁 .

中国专利 :CN102332462A ,2012-01-25

[7]

一种双栅非易失电荷陷阱存储器及其制备方法 [P].

张卫 ;

熊妍 ;

王水源 ;

周鹏 .

中国专利 :CN109801921A ,2019-05-24

[8]

一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法 [P].

汤振杰 ;

李荣 ;

胡丹 .

中国专利 :CN109950146A ,2019-06-28

[9]

基于带隙调控的新型电荷陷阱型存储器、其制备方法及应用 [P].

汤振杰 ;

李荣 .

中国专利 :CN103545316B ,2014-01-29

[10]

一种具有双层氧化物纳米晶存储层的电荷陷阱存储器件及其制备方法 [P].

汤振杰 ;

李荣 ;

张希威 .

中国专利 :CN108493095B ,2018-09-04

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