一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910196513.7

申请日：

2019-03-04

公开(公告)号：

CN109950146A

公开(公告)日：

2019-06-28

发明(设计)人：

汤振杰李荣胡丹

申请人：

申请人地址：

455000 河南省安阳市弦歌大道436号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21285

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	公开	公开
2019-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20190304
2021-05-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20190628

共 50 条

[1]

一种电子束蒸发台 [P].

张军区 ;

杜国强 ;

董金良 .

中国专利 :CN214088644U ,2021-08-31

[2]

一种电子束蒸发装置 [P].

魏国军 ;

安永 ;

王培元 .

中国专利 :CN222389904U ,2025-01-24

[3]

一种电子束蒸发台 [P].

马溢华 .

中国专利 :CN212223086U ,2020-12-25

[4]

MgO薄膜电子束蒸发制备装置 [P].

孙青云 ;

朱立锋 ;

王保平 ;

林青园 .

中国专利 :CN201416029Y ,2010-03-03

[5]

一种电子束蒸发镀钛的方法 [P].

刘齐成 .

中国专利 :CN109536885A ,2019-03-29

[6]

一种电子束蒸发镀膜装置 [P].

王锦驰 ;

王一鸣 ;

江仲开 ;

杨展頔 .

中国专利 :CN223674725U ,2025-12-16

[7]

一种电子束蒸发镀镍的方法 [P].

刘齐成 .

中国专利 :CN109628893A ,2019-04-16

[8]

一种电子束蒸发镀Au的方法 [P].

成飞 ;

姚林松 .

中国专利 :CN112695279A ,2021-04-23

[9]

一种电子束蒸发源装置 [P].

朱九菊 ;

刘年生 ;

安建昊 ;

唐欢欢 ;

许帮洪 ;

赵剑光 .

中国专利 :CN221566293U ,2024-08-20

[10]

MgO薄膜电子束蒸发制备方法及装置 [P].

孙青云 ;

朱立锋 ;

王保平 ;

林青园 .

中国专利 :CN101565813A ,2009-10-28

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