一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010211396.6

申请日：

2010-06-25

公开(公告)号：

CN101901753B

公开(公告)日：

2010-12-01

发明(设计)人：

魏星王湘杨建张苗王曦林成鲁

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

翟羽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-01	公开	公开
2012-05-23	授权	授权
2011-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101075696306 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2010102113966 申请日:20100625

共 50 条

[1]

带有绝缘埋层的半导体结构及其制备方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN103022139A ,2013-04-03

[2]

带有绝缘埋层衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王文宇 ;

曹共柏 .

中国专利 :CN102768981B ,2012-11-07

[3]

一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法 [P].

魏星 ;

王湘 ;

李显元 ;

张苗 ;

王曦 ;

林成鲁 .

中国专利 :CN101604631A ,2009-12-16

[4]

带有绝缘埋层的衬底的制备方法 [P].

张苗 ;

张波 .

中国专利 :CN101355024A ,2009-01-28

[5]

一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法 [P].

张峰 ;

曹共柏 ;

魏星 ;

王文宇 ;

王曦 .

中国专利 :CN102201362A ,2011-09-28

[6]

带有绝缘埋层的辐射加固材料及其制备方法 [P].

毕大炜 ;

魏星 ;

陈明 ;

武爱民 ;

张正选 ;

黄辉祥 .

中国专利 :CN102569061A ,2012-07-11

[7]

制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 [P].

魏星 ;

仰庶 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102299093A ,2011-12-28

[8]

铟砷锑厚膜材料的制备方法 [P].

胡淑红 ;

戴宁 .

中国专利 :CN101275280A ,2008-10-01

[9]

一种带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法 [P].

陈杰 ;

叶斐 ;

李显元 ;

陈国兴 .

中国专利 :CN101707187B ,2010-05-12

[10]

腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法 [P].

王湘 ;

魏星 .

中国专利 :CN101599452B ,2009-12-09

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