半导体衬底的制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99122021.8

申请日：

1999-09-03

公开(公告)号：

CN1249531A

公开(公告)日：

2000-04-05

发明(设计)人：

佐藤信彦

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-04-05	公开	公开
2000-03-08	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2005-09-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

半导体衬底及其制造工艺 [P].

迪尔克·丹特兹 ;

安德烈亚斯·许贝尔 ;

赖因霍尔德·沃利施 ;

布里安·默菲 .

中国专利 :CN1716577A ,2006-01-04

[2]

半导体衬底、半导体薄膜以及多层结构的制造工艺 [P].

坂口清文 ;

米原隆夫 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1241803A ,2000-01-19

[3]

半导体衬底及其制造方法 [P].

山方宪二 ;

米原隆夫 .

中国专利 :CN1109636A ,1995-10-04

[4]

半导体衬底及其制造方法 [P].

佐藤信彦 ;

米原隆夫 ;

坂口清文 .

中国专利 :CN1159071A ,1997-09-10

[5]

半导体衬底的制造方法 [P].

坂口清文 ;

米原隆夫 .

中国专利 :CN1135601C ,1997-12-31

[6]

用于制造半导体衬底的工艺以及所获得的半导体衬底 [P].

F·波德特 ;

R·布兰 ;

O·勒杜 ;

E·比托 .

中国专利 :CN104067380B ,2014-09-24

[7]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[8]

半导体衬底及半导体衬底的制造方法 [P].

坂口清文 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1241016A ,2000-01-12

[9]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[10]

半导体衬底、半导体衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN114188392A ,2022-03-15

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